全自動CMP平坦化設備
Fully automated CMP planarization equipment

產品特點 / Product Features
真空腔體 (Vacuum Chamber)
材質:使用 SUS304 不鏽鋼材質,外觀採電解拋光處理,確保設備整潔美觀。
結構:腔體採模組化結構設計,並以螺絲固定,方便人員進行日常清潔與維護保養。
安全性:若運作中發生故障,可透過手動方式開啟腔蓋,安全取出基板。
CMP 研磨說明
特色說明 / 化學機械平坦化-CMP
化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又稱化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是光電業或半導體器件工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的光學玻璃、矽晶圓或其它襯底材料進行平坦化及光滑化處理。CMP是可達成表面全局平坦化技術中的一種,既可以認為是化學增強型機械拋光也可以認為是機械增強型濕法化學刻蝕。此工藝使用具有研磨性和腐蝕性的磨料,並配合使用研磨盤 / 拋光墊和支撐盤,工件及磨盤同時轉動,以達平坦化的目的。
CMP 技術 & 製程 變量 要因
研磨拋光設備 Polishers
●研磨壓力 ●磨盤速度 ●載盤速度 ●研磨墊溫控
研磨液化學性 Slurry & Chemistry
●化學添加劑種類 ●研磨料粒徑/材質 ●研磨液穩定度 ●表面化學反應性 ●晶圓潔淨度 ●毒性反應 ●研磨液分配系統
研磨材及調製法 Pad & Conditioner
●研磨墊組織 ●研磨墊硬度 ●研磨液比重 ●研磨墊溝紋幾何 ●研磨墊型式 ●晶圓載體型式 ●晶圓載體薄膜條件
後段清洗設備 Post-Cleaning
●濕式化學清潔 ●刷洗清潔 ●超音波洗滌 ●晶圓乾燥清潔
研磨材選用
研磨盤與拋光墊

研磨盤係採用Diamond grinding discs DGD 鑽石研磨盤。DGD研磨盤具有耐用的表面, 可為多種材料提供出色的表面平整度。高度工程化定制化的鑽石研磨盤, 利用燒結工藝, 提供極其穩定均勻的鑽石排布、銳利度及高度。 拋光墊在整個拋光過程中, 不僅可以使拋光液有效均勻分佈, 而且可以提供新補充進來的拋光液, 並能順利的將反應後的拋光液和反應產物排出。為了保持拋光過程的穩定性, 均勻性和可重複性, 拋光墊材料的物理性質, 化學性質和表面形態必須保持穩定。

拋光液

拋光漿料的成分主要由三部分組成:腐蝕介質、成膜劑和助劑、奈米磨料粒子。拋光漿料要滿足拋光速率快、拋光均勻性好及拋後易清洗等要求。 磨料粒子的硬度也不宜太高, 以保證對膜層表面的機械損害比較輕。固體粒子提供研磨作用, 化學氧化劑提供腐蝕溶解作用。

CMP研磨應用 & 檢測
研磨工藝

CMP研磨可針對於工件減薄 Thinning、滑痕去除 Scratch-removing、鏡面拋光 Mirror Polishing及Etching & CVD/PVD蝕刻後平坦化等用途。

應用基材

常見的加工工件可應用於玻璃基板、玻璃晶圓、純晶板、回收再生晶圓, 測試擋控片用晶圓或製程晶圓等種類, 材質如矽晶、玻璃晶、石英晶、鈮酸鋰/鉭酸鋰、鍺晶、砷化鎵, 碳化矽等基板材質。

半導體專用CMP平坦機 CMP Planerizer
Section I – 快速削磨
提供需求厚度的初步研磨,配備高精度鑽石研磨盤,以高穩定度、與15μm/min 以上之快速削切能力。
Section II – 精細化拋光
將研磨削切後產生的放射波紋,搭配晶圓級絨毛拋光墊進行精細拋光,以低削切量,高平坦度,進行初步全局平坦 Global Planarization鏡面拋光,目標TTV值控制約>50nm。
Section III – 極精密平坦(Optional Solution)
進一步利用CMP蝕刻液配方以化學性及機械拋光並行作用,進行高精全局平坦 Global Planarization低翹曲鏡面拋光,目標TTV值控制約>10nm。
產品特點 / Product Features
真空腔體 (Vacuum Chamber)
材質:使用 SUS304 不鏽鋼材質,外觀採電解拋光處理,確保設備整潔美觀。
結構:腔體採模組化結構設計,並以螺絲固定,方便人員進行日常清潔與維護保養。
安全性:若運作中發生故障,可透過手動方式開啟腔蓋,安全取出基板。
CMP 研磨說明
特色說明 / 化學機械平坦化-CMP
化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又稱化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是光電業或半導體器件工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的光學玻璃、矽晶圓或其它襯底材料進行平坦化及光滑化處理。CMP是可達成表面全局平坦化技術中的一種,既可以認為是化學增強型機械拋光也可以認為是機械增強型濕法化學刻蝕。此工藝使用具有研磨性和腐蝕性的磨料,並配合使用研磨盤 / 拋光墊和支撐盤,工件及磨盤同時轉動,以達平坦化的目的。
CMP 技術 & 製程 變量 要因
研磨拋光設備 Polishers
●研磨壓力 ●磨盤速度 ●載盤速度 ●研磨墊溫控
研磨液化學性 Slurry & Chemistry
●化學添加劑種類 ●研磨料粒徑/材質 ●研磨液穩定度 ●表面化學反應性 ●晶圓潔淨度 ●毒性反應 ●研磨液分配系統
研磨材及調製法 Pad & Conditioner
●研磨墊組織 ●研磨墊硬度 ●研磨液比重 ●研磨墊溝紋幾何 ●研磨墊型式 ●晶圓載體型式 ●晶圓載體薄膜條件
後段清洗設備 Post-Cleaning
●濕式化學清潔 ●刷洗清潔 ●超音波洗滌 ●晶圓乾燥清潔
研磨材選用
研磨盤與拋光墊

研磨盤係採用Diamond grinding discs DGD 鑽石研磨盤。DGD研磨盤具有耐用的表面, 可為多種材料提供出色的表面平整度。高度工程化定制化的鑽石研磨盤, 利用燒結工藝, 提供極其穩定均勻的鑽石排布、銳利度及高度。 拋光墊在整個拋光過程中, 不僅可以使拋光液有效均勻分佈, 而且可以提供新補充進來的拋光液, 並能順利的將反應後的拋光液和反應產物排出。為了保持拋光過程的穩定性, 均勻性和可重複性, 拋光墊材料的物理性質, 化學性質和表面形態必須保持穩定。

拋光液

拋光漿料的成分主要由三部分組成:腐蝕介質、成膜劑和助劑、奈米磨料粒子。拋光漿料要滿足拋光速率快、拋光均勻性好及拋後易清洗等要求。 磨料粒子的硬度也不宜太高, 以保證對膜層表面的機械損害比較輕。固體粒子提供研磨作用, 化學氧化劑提供腐蝕溶解作用。

CMP研磨應用 & 檢測
研磨工藝

CMP研磨可針對於工件減薄 Thinning、滑痕去除 Scratch-removing、鏡面拋光 Mirror Polishing 及 Etching & CVD/PVD 蝕刻後平坦化等用途。

應用基材

常見的加工工件可應用於玻璃基板、玻璃晶圓、純晶板、回收再生晶圓、測試擋控片用晶圓或製程晶圓等, 材質包含矽晶、玻璃晶、石英晶、鈮酸鋰/鉭酸鋰、鍺晶、砷化鎵、碳化矽等基板材質。

半導體專用CMP平坦機 CMP Planerizer
Section I – 快速削磨
提供需求厚度的初步研磨,配備高精度鑽石研磨盤,以高穩定度、與15μm/min 以上之快速削切能力。
Section II – 精細化拋光
將研磨削切後產生的放射波紋,搭配晶圓級絨毛拋光墊進行精細拋光,以低削切量,高平坦度,進行初步全局平坦 Global Planarization鏡面拋光,目標TTV值控制約>50nm。
Section III – 極精密平坦(Optional Solution)
進一步利用CMP蝕刻液配方以化學性及機械拋光並行作用,進行高精全局平坦 Global Planarization低翹曲鏡面拋光,目標TTV值控制約>10nm。